연구시설장비

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정보제공 : ZEUS 장비활용종합포털(www.zeus.go.kr)

중전류형 이온주입장비

Medium current ion implanter

DRIS No.	DRIS-19-0341
시설장비등록번호	NFEC-2015-09-204761
보유기관	대구경북과학기술원
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장비정보

모델명	E220HP	제작사	Varian
취득일자	2015-08-18	취득금액	603,380,000원
5대 미래산업 분류	헬스케어	활용용도	시험
표준분류	기계가공/시험장비 > 반도체장비 > 전자빔증착기
장비위치	대구광역시 달성군 현풍면 테크노중앙대로 333 50-1 대구경북과학기술원 중앙기기센터 205 소자클린룸 F2 205
장비설명	반도체 실리콘 웨이퍼에 불순물을 주입하여 전류가 흐를 수 있는 도체적 성질을 얻고자 5KeV~200KeV 에너지 범위, 진공도 4× 10－6 Torr 이하의 조건에서 1×1011/㎠ ~ 1×1016/㎠ 이온을 주입하는 장비로서 미세소자제작에 필요한 기본적인 공정장비임.
구성 및 기능	- Wafer size : 150mm wafer - Wafer load port : 2 port(Left & Right)로서 독립 및 동시사용 가능 - Solid stater scanner : 20kV - Auto decel - Bernas/HP type ion source - Dopant gas : PH3, AsH3, BF3, Ar - Energy range : 11 ~ 200 keV - Implant dose range : 1E11 ~ 1E15 - Uniformity : 1s ≥ 0.75 % (for tilt angles < 60°, 10 scans, flat platen) - Repeatability : 1s ≥ 0.75 % (wafer-to-wafer, sheet resistance)
사용/활용예	반도체소자 제작, MEMS를 이용한 바이오칩 제작 등 미세소자제작 시 활용됨. - Threshold voltage adjustment - Well, Source, Drain, Capacitor 전극형성 - Polysilicon doping - Source-drain extension - Anti punch-through - Channel engineering - Noise isolation well
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